叶面喷施硅对镉胁迫番茄叶片PSⅡ电子传递的影响

文献类型： 中文期刊

第一作者： 张泽锦

作者： 张泽锦;唐丽;李跃建

作者机构：

关键词： 番茄;镉胁迫;硅;快速叶绿素荧光

期刊名称： 西南农业学报

ISSN： 1001-4829

年卷期： 2020 年 012 期

页码： 2897-2904

收录情况： 北大核心 ; CSCD

摘要： 【目的】本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统II电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据。【方法】以"耐裂王"番茄为材料,利用盆栽法模拟不同Cd含量的土壤,喷施不同浓度的Si溶液,采用Dual-PAM-100双通道荧光测定仪分析测定PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。【结果】镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线改变,最小荧光值（Fo）和K相相对可变荧光（Vk）显著增加。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片的Fo和Vk。镉胁迫引起单位反应中心吸收的光能（ABS/RC）、捕获的光能（TRo/RC）和热耗散的能量（DIo/RC）增加,而降低单位反应中心传递的能量（ETo/RC）、PSⅡ最大电子传递速率(ETRmax)和光合性能(PIabs),导致番茄叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PSⅡ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PSⅡ和PSI的ETRmax、最小饱和光强（Ik）和PIabs。【结论】喷施Si能稳定Cd胁迫下番茄叶片的光合系统的结构和功能,缓解Cd胁迫对番茄叶片光合性能的抑制。

分类号： X53%S641.2

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