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利用高密度SNP芯片精确定位长豇豆耐早衰性QTLs

文献类型： 中文期刊

作者： 苑希蕊 1 ; 吴晓花 1 ; 汪宝根 1 ; 吴新义 1 ; 鲁忠富 1 ; 李国景 1 ; 徐沛 1 ;

作者机构： 1.浙江省农业科学院蔬菜所;西北农林科技大学园艺学院

关键词： 豇豆;长豇豆;耐早衰性;QTL;SNP

期刊名称： 分子植物育种

ISSN： 1672-416X

年卷期： 2018 年 13 期

页码： 4320-4324

收录情况： 北大核心 ; CSCD

摘要： 早衰性是长豇豆的一个重要不利农艺性状。由于嫩荚是长豇豆最主要的商品器官,植株早衰容易影响后期结荚数,导致豆荚产量下降,给种植者带来经济损失。本研究以长豇豆品系ZN016和ZJ282杂交构建的一个含119个株系的扩大重组自交系(F6:8代)群体为材料,利用由豇豆60K高密度SNP芯片构建的含8 032个SNP位点的高密度分子遗传图谱对长豇豆耐早衰性状进行QTL精确定位,最终将长豇豆耐早衰性状的主效QTL定位在LG11上约0.424 c M的区间内。与早期对同一性状QTL定位结果相比证实了本实验室前期的粗定位结果,并且本次QTL定位精度明显提高,大幅度缩小了侧翼标记间的距离。本研究为今后针对耐早衰性这一农艺性状的分子标记辅助育种、基因克隆提供了基础。

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